Nuvoton NuMicro M2L31: новая плата с памятью типа ReRAM

El Nuvoton NuMicro M2L31 — семейство микроконтроллеров. с мощным ядром Arm Cortex-M23 и уникальной функцией памяти. Он одним из первых использует ReRAM — тип быстрой и долговечной памяти. Эти микроконтроллеры рассчитаны на низкое энергопотребление и широкий спектр применений: от промышленной автоматизации до управления двигателями.

Кроме того, что ReRAM — это то, что делает их действительно интересными и особенными. по сравнению с другими аналогичными продуктами. Чрезвычайно полная плата для своего размера, а также для промышленного применения и других типов проектов, учитывая ее богатство и универсальность. ты хочешь знать почему?

Технические характеристики Nuvoton NuMicro M2L31

О Технические характеристики этого модуля NuvoTon, правда в том, что можно найти разные варианты, с разными объёмами памяти ReRAM, и всё доступно из одного и того же Официальный сайт НувоТон по цене от $36:

• Микроконтроллер
  • Arm Cortex-M23 с одним ядром @ 72 МГц
• память
  • От 40 КБ до 512 КБ встроенной ReRAM
  • До 168 КБ SRAM и 40 КБ для проверки четности
  • Независимая SRAM малой мощности 4/8 КБ
  • 8 КБ ЛДЗУМ
  • 4 региона eXecute-Only-Memory (XOM)
  • 4 региона модуля защиты памяти (MPU)
• Периферийные разъемы
  • USB-порты
    • USB 2.0 OTG/хост/устройство с буфером 1024 байта
    • Совместим с USB-C (версия 2.1) и для зарядки.
  • До 8 интерфейсов UART с LIN и IrDA
  • 1x интерфейс UART с низким энергопотреблением
  • До 2x USCI (UART/SPI/I²C)
  • До 4x I2C + 1x I2C малой мощности (400 кбит/с)
  • До 4x SPI/I2S (макс. 36 МГц) + 1x SPI малой мощности (макс. 12 МГц)
  • 1x четырехъядерный последовательный периферийный интерфейс (QSPI)
  • До 1x интерфейса внешней шины (EBI)
  • До 2 контроллеров CAN FD
  • До 16 сенсорных клавиш с одним сканированием или программируемым периодом, 5 В
• Аналогичный
  • Встроенный контроль опорного напряжения
  • Встроенный датчик температуры
  • 1x 12-битный АЦП SAR до 24 каналов, 3.42 MSPS
  • До 2-х ЦАП (12-бит, с буферизацией 1 MSPS)
  • 3x 6-битных компаратора ЦАП
  • До 3x операционных усилителей
• Интерфейс управления
  • Интерфейс регулировки напряжения (VAI)
  • До двух расширенных интерфейсов квадратурных энкодеров (EQEI)
  • До 2 таймеров расширенного захвата входа (ECAP)
• УПЧС
  • До 16 каналов для периферийных устройств DMA
• Особенности безопасности
  • Блок расчета циклической избыточности
  • 128/192/256-битное шифрование AES
  • Генератор истинных случайных чисел (TRNG)
  • Генератор псевдослучайных чисел (ГПСЧ)
  • До 3 штифтов тампера
• Таймеры
  • 32 выхода ШИМ
  • 4 24-битных таймера, поддержка независимого выхода ШИМ
  • 12x Enhanced PWM (EPWM) с двенадцатью 16-битными счетчиками и частотой до 72 МГц для источника тактовой частоты
  • 12x ШИМ с шестью 16-битными таймерами, до 144 МГц для источника тактовой частоты
  • 2x 24-битных таймера с низким потреблением
  • 2 тиковых таймера
  • 1x 24-битный таймер обратного отсчета SysTick
  • Сторожевой пес
  • Оконный сторожевой таймер
• Знаки часов
  • Кварцевый генератор (Xtal) от 4 до 32 МГц
  • Генератор 32.768 кГц для часов RTC
  • Внутренний RC-генератор частотой 12 МГц с отклонением ±2% при температуре -40~105°C.
  • Внутренний RC-генератор 48 МГц с отклонением ±2.5% при температуре -40~105°C.
  • Внутренний MIRC 1–8 МГц с отклонением ±10 % при температуре -40–105 °C.
  • Внутренний RC-генератор 32 кГц с отклонением ±10%.
  • Внутренняя ФАПЧ до 144 МГц
• Рабочее напряжение
  • От 1.71 В до 3.6 В
• Потребление
  • Нормальный: 60 мкА/МГц при 72 МГц
  • Режим IDLE: 33 мкА/МГц при 25°C/3.0 В, со всеми выключенными периферийными устройствами
  • АФД без силового стробирования (режим NPD2): 55 мкА, при 25°C/3.0 В
  • АФД со стробированием мощности (режим NPD4): 9 мкА, при 25°C/3.0 В
  • SPD с сохранением 40 КБ в SRAM: 1.7 мкА, при 25°C/3.0 В
  • DPD: 0.54 мкА при 25°C/3.0 В, с выключенными RTC и LXT
• Выбор корпуса чипа (каждый доступен с разной емкостью ReRAM):
  • ВЛЦСП 25 (2.5×2.5 мм)
  • QFN32 (5x5 мм)
  • LQFP48 (7x7 мм)
  • КФН 48 (5x5 мм)
  • ВЛЦСП 49 (3x3 мм)
  • LQFP64 (7x7 мм)
  • LQFP128 (14×14 мм)
• Поддерживаемый диапазон рабочих температур
  • От -40°С до +105°С

Что такое РеРАМ? Потому что это интересно?

La ReRAM (резистивная память с произвольным доступом) — это тип энергонезависимой (NV) памяти, которая работает путем изменения сопротивления твердотельного диэлектрического материала. Эта технология представлена ​​как альтернатива традиционным флэш-памятям, таким как NAND Flash и DRAM, предлагающая ряд преимуществ:

• Скорость- ReRAM обеспечивает очень высокую скорость чтения и записи, даже выше, чем DRAM. Это связано с тем, что перед записью не требуется операция стирания страницы, как это делают традиционные флэш-памяти.
• долговечность- Имеет большую устойчивость к циклам записи и стирания, чем традиционные флэш-памяти. Это означает, что он может выдержать больше операций записи, прежде чем выйдет из строя, что делает его идеальным для приложений, требующих частого обновления данных и надежности.
• Низкое энергопотребление- Потребляет меньше энергии, чем традиционные флэш-памяти, как в режиме чтения, так и в режиме записи. Это делает его хорошим выбором для приложений, работающих на батареях или солнечных батареях.

Однако надо сказать, что этот тип памяти довольно дорогой и находится на достаточно ранней стадии разработки. В основном используется для устройств на базе микроконтроллеров, подобных этому, а также в промышленных и других приложениях. Но это не зрелая память, которую можно использовать в компьютерах...